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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
41
44
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
41
读取速度,GB/s
11.2
13.5
写入速度,GB/s
8.1
12.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3114
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
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Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
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