RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Porównaj
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Wynik ogólny
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.1
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3419
2713
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link