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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
総合得点
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
総合得点
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
31
周辺 19% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.1
9.5
テスト平均値
考慮すべき理由
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.7
13.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR5
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
31
読み出し速度、GB/s
13.4
15.7
書き込み速度、GB/秒
12.1
9.5
メモリ帯域幅、mbps
19200
21300
Other
商品説明
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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