RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

総合得点
star star star star star
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB 考慮すべき理由
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 31
    周辺 19% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 9.5
    テスト平均値
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB 考慮すべき理由
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 13.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR5 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.1 left arrow 9.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    no data / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3419 left arrow 2713

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB RAMの比較

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB RAMの比較

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
メモリRAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
メモリRAM