Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Punteggio complessivo
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HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    25 left arrow 31
    Intorno 19% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.1 left arrow 9.5
    Valore medio nei test
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.7 left arrow 13.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 19200
    Intorno 1.11 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR5 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    25 left arrow 31
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.4 left arrow 15.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.1 left arrow 9.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    no data / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    3419 left arrow 2713
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti