Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

Note globale
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Note globale
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HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    25 left arrow 31
    Autour de 19% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    12.1 left arrow 9.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    15.7 left arrow 13.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 19200
    Autour de 1.11 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR5 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    25 left arrow 31
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.4 left arrow 15.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    12.1 left arrow 9.5
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    no data / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    3419 left arrow 2713
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons