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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Comparez
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Note globale
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Note globale
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
31
Autour de 19% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR5
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.1
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3419
2713
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Comparaison des RAM
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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