RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
36
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.2
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3890
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link