RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
36
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.2
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3890
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link