RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
38
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
38
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2663
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link