RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
27
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3615
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link