RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
27
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3837
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link