RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
33
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
19
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3370
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link