RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
24
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2865
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link