RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    17.6 left arrow 15.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 21300
    Около 1.2% выше полоса пропускания
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB Причины выбрать
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 33
    Около -38% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.8 left arrow 12.0
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    33 left arrow 24
  • Скорость чтения, Гб/сек
    17.6 left arrow 15.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.0 left arrow 12.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    25600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2910 left arrow 2865

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
модули RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
модули RAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
модули RAM