RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
85
Wokół strony 73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
85
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
1118
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link