RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
13
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
2594
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link