RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
2575
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link