RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
37
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
21
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
22.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
19.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
4251
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link