RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
85
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
85
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1118
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link