RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
AMD R744G2606U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
76
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R744G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
76
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
1809
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link