RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
AMD R744G2606U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
76
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R744G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
76
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
1809
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
INTENSO M418039 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link