RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против AMD R744G2606U1S 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
AMD R744G2606U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
76
Около 63% меньшая задержка
Причины выбрать
AMD R744G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
76
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.7
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
1809
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link