RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против AMD R744G2606U1S 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
AMD R744G2606U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
76
Около 63% меньшая задержка
Причины выбрать
AMD R744G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
76
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.7
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
1809
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link