RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3023
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link