RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
28
Por volta de -12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.0
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3023
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Comparações de RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link