RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
18.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
4005
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link