RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
22.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
56
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.1
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
22.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
20.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
4421
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YH9 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link