RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
56
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2925
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kllisre 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link