RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
56
Por volta de -133% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
12.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
2925
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Corsair CMP4GX3M2B1600C8 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link