RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
56
Около -133% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
2925
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link