RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
56
Около -133% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
2925
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link