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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
56
Autour de -133% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
2925
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
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Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
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