RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
78
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
78
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2087
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link