RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1997
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link