RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1997
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link