RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2442
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link