RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
1949
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link