RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
56
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.1
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
53
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2200
2319
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link