RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
56
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.1
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
53
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2200
2319
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link