RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
56
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.1
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
53
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2200
2319
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link