RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
53
56
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.1
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
53
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
10.1
Скорость записи, Гб/сек
7.7
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2200
2319
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link