RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
54
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
21
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2833
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Jinyu 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link