RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
51
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
18
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3668
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Mushkin 994083 4GB
Mushkin 996969 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link