RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
51
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
18
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
20.9
Скорость записи, Гб/сек
8.1
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
3668
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link