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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
51
En -183% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
18
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3668
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
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