RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2583
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link