RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
68
Wokół strony -278% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
3286
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 99U5595-003.A00LF 2GB
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link