RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
68
Wokół strony -278% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
3286
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Corsair CMSX8GX3M1A1600C1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link