RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
21.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
68
Около -278% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.7
1,702.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
18
Скорость чтения, Гб/сек
3,886.6
21.1
Скорость записи, Гб/сек
1,702.6
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
654
3286
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link