Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 21.1

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

18 68

Около -278% меньшая задержка
Выше скорость записи

16.7 1,702.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 5300

Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

68 18
Скорость чтения, Гб/сек

3,886.6 21.1
Скорость записи, Гб/сек

1,702.6 16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 21300

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

654 3286

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Kingston 9905643-009.A00G 8GB

Kingston 9905643-009.A00G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB

Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB

Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB

Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

AMD R744G2606U1S 4GB

AMD R744G2606U1S 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB

Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB

Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB

Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

модули RAM