RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Comparez
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Note globale
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
21.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
68
Autour de -278% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.7
1,702.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
18
Vitesse de lecture, GB/s
3,886.6
21.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,702.6
16.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
654
3286
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link