RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
21.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
68
Intorno -278% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.7
1,702.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
18
Velocità di lettura, GB/s
3,886.6
21.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,702.6
16.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
654
3286
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link