RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
21.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
68
Rund um -278% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.7
1,702.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,886.6
21.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,702.6
16.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
654
3286
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link