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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
21.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
68
En -278% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
1,702.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
18
Velocidad de lectura, GB/s
3,886.6
21.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,702.6
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
654
3286
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
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