RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
21.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
68
Por volta de -278% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.7
1,702.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
18
Velocidade de leitura, GB/s
3,886.6
21.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,702.6
16.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
654
3286
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link