RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против AMD R744G2606U1S 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
AMD R744G2606U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
76
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
AMD R744G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
76
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
1809
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link