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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
AMD R744G2606U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
76
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
AMD R744G2606U1S 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
76
读取速度,GB/s
9.2
15.7
写入速度,GB/s
8.1
8.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
1809
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
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