RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
AMD R744G2606U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
76
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R744G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
76
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
1809
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link