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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
51
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
25
读取速度,GB/s
9.8
14.3
写入速度,GB/s
8.1
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2583
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
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