RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
52
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
36
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
1891
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link