RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
52
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
36
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
1891
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link